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近日，那諾中國在“上海交通大學電子信息與電氣工程學院掩模板兆聲清洗機采購項目”的競標中，順利中標，這無疑是對NANO-MASTER綜合實力的又一次肯定！本套設備是NANO-MASTER,INC.開發(fā)的獨立立柜式單晶圓/掩模版清洗機SWC-4000，可用于清洗晶圓片、光盤、光學元件、陶瓷基底，或其它類似的平底部件?？梢赃_到去除污染物、殘留物、或微塵顆粒等。系統(tǒng)的主要功能包含DI水的兆聲清洗、多四路的化學試劑清洗，以及帶異丙醇的高速甩干等。因此該系統(tǒng)對于單片清洗而言具有優(yōu)異的基底...

熱真空試驗箱是在地面上模擬太空環(huán)境的環(huán)境模擬試驗設備。近幾年來，熱真空試驗設備在航天航空業(yè)產品的研制和定型中發(fā)揮了重要作用。熱真空試驗箱由于結構復雜，在運行中有時會出現(xiàn)一些異?，F(xiàn)象，如果不能及時排除，將延長試驗周期，影響產品的研制工作。為此，我們對試驗箱的基本工作原理作一些簡要闡述，并介紹如何對熱真空試驗箱的一般故障進行分析判斷和排除。斷開制冷控制，制冷閥關閉，檢查真空計通訊接口有無松動，分子泵轉速有無發(fā)生變化，經(jīng)檢查都正常，說明真空機組的問題可以排除由于低溫降溫階段出現(xiàn)真空...

硅片清洗機正向著小型化、非盒式化及一次完成化（所有清洗與干燥步驟在一個槽內進行）方向發(fā)展，以減少工藝過程中帶來的沾污，滿足深亞微米級器件工藝的要求。這無論對清洗工藝還是對清洗設備都是一個極大的挑戰(zhàn)，傳統(tǒng)的清洗方法已不能滿足要求。臭氧水、兆聲波、電解離子水等的應用顯示出很好的去除硅片表面顆粒和金屬沾污的能力，對硅片表面微觀態(tài)的影響很小。而且，它們的使用使清洗設備小型化及清洗工藝一次完成化的實現(xiàn)成為可能。硅片清洗機不僅保留了超聲波清洗的優(yōu)點，而且克服了超聲波清洗的缺點。兆聲無損清...

等離子去膠機是石英腔的微波等離子系統(tǒng)，可以安裝到超凈間墻上。該系列的微波等離子系統(tǒng)可以用于批處理，也可以作為單片處理，系統(tǒng)為計算機全自動控制的系統(tǒng)。典型工藝包含：大劑量離子注入后的光刻膠去除；干法刻蝕工藝的前處理或后處理；MEMS制造中的犧牲層去除。去膠工藝是微加工實驗中一個非常重要的過程。在電子束曝光、紫外曝光等微納米加工工藝之后，都需要對光刻膠進行去除或打底膜處理。光刻膠去除的是否干凈*、對樣片是否有損傷等問題將直接影響到后續(xù)工藝的順利完成。德國ALPHAPLAMSA擁有...

一般的熱真空試驗箱均設有溫度均勻度參數(shù)：自然對流式的干燥箱為工作溫度上限乘3%，強制對流式的干燥箱為工作溫度上限乘2.5%。惟獨電熱真空干燥箱不設溫度均勻度參數(shù)，這是為什么？真空干燥箱內依靠氣體分子運動使工作室溫度達到均勻的可能性幾乎已經(jīng)沒有了。因此，從概念上我們就不能再把通常電熱（鼓風）干燥箱所規(guī)定的溫度均勻度定義用到真空干燥箱上來。在真空狀態(tài)下設這個指標也是沒有意義的。熱輻射的量與距離的平方成反比。同一個物體，距離加熱壁20cm處所接受的輻射熱只是距離加熱壁10cm處的1...

等離子刻蝕機是基于真空中的高頻激勵而產生的輝光放電將四氟化碳中的氟離子電離出來從而獲得化學活性微粒與被刻蝕材料起化學反應產生輝發(fā)性物質進行刻蝕的。同時為了保證氟離子的濃度和刻蝕速度必須加入一定比例的氧氣生成二氧化碳。在眾多半導體工藝中，刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術之一。刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學腐蝕進行，是傳統(tǒng)的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點，即在刻蝕過程中不但有所需要的縱向刻蝕，也有不需要的橫向刻蝕，因而精度差，線寬一般在3um以上。RIE-PE刻蝕機...

硅片清洗機不僅保留了超聲波清洗的優(yōu)點，而且克服了超聲波清洗的缺點。兆聲無損清洗機的工作原理是利用高能（850kHz）頻率效應和化學清洗劑的化學反應對硅片進行清洗。在清洗過程中，換能器發(fā)出的高能聲波波長為1m，頻率為0.8MHZ。在聲波的驅動下，溶液的分子運動得更快。瞬時速度可達30cm/s。因此，無法形成超聲清洗等氣泡。相反，硅片清洗機只能用高速的流體波不斷地沖擊晶圓片表面，迫使附著在晶圓片表面的微小污染物顆粒被去除并進入清洗溶液中。硅片清洗機特點：高能能有效地去除亞微米粒子...

RIE-PE刻蝕機是基于真空中的高頻激勵而產生的輝光放電將四氟化碳中的氟離子電離出來從而獲得化學活性微粒與被刻蝕材料起化學反應產生輝發(fā)性物質進行刻蝕的。同時為了保證氟離子的濃度和刻蝕速度必須加入一定比例的氧氣生成二氧化碳。RIE-PE刻蝕機主要對太陽能電池片周邊的P—N結進行刻蝕，使太陽能電池片周邊呈開路狀態(tài)。也可用于半導體工藝中多晶硅，氮化硅的刻蝕和去膠?？涛g精度主要是用保真度、選擇比、均勻性等參數(shù)來衡量。所謂保真度度，就是要求把光刻膠的圖形轉移到其下的薄膜上，即希望只刻蝕...