RIE-PE刻蝕機(jī)主要對(duì)太陽(yáng)能電池片周邊的P—N結(jié)進(jìn)行刻蝕，使太陽(yáng)能電池片周邊呈開(kāi)路狀態(tài)。也可用于半導(dǎo)體工藝中多晶硅，氮化硅的刻蝕和去膠。

 

　　刻蝕精度主要是用保真度、選擇比、均勻性等參數(shù)來(lái)衡量。所謂保真度度，就是要求把光刻膠的圖形轉(zhuǎn)移到其下的薄膜上，即希望只刻蝕所要刻蝕的薄膜，而對(duì)其上的掩膜和其下的襯底沒(méi)有刻蝕。事實(shí)上，以上三個(gè)部分都會(huì)被刻蝕，只是刻蝕速率不同。選擇比就是用來(lái)衡量這一指標(biāo)的參數(shù)。S=V/U（V為對(duì)薄膜的刻蝕速率，U為對(duì)掩膜或襯底的刻蝕速率），S越大則選擇比越好。由于跨越整個(gè)硅片的薄膜厚度和刻蝕速率不盡相同，從而也導(dǎo)致圖形轉(zhuǎn)移的不均勻，尤其是中心和邊緣相差較大。因而均勻性成為衡量這一指標(biāo)的重要參數(shù)。除以上參數(shù)外，刻蝕速率也是一個(gè)重要指標(biāo)，它用來(lái)衡量硅片的產(chǎn)出速度，刻蝕速率越快，則產(chǎn)出率越高。

 

　　反應(yīng)離子刻蝕是以物理濺射為主并兼有化學(xué)反應(yīng)的過(guò)程。通過(guò)物理濺射實(shí)現(xiàn)縱向刻蝕，同時(shí)應(yīng)用化學(xué)反應(yīng)來(lái)達(dá)到所要求的選擇比，從而很好地控制了保真度。

 

　　在眾多半導(dǎo)體工藝中，刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術(shù)之一。刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學(xué)腐蝕進(jìn)行，是傳統(tǒng)的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點(diǎn)，即在刻蝕過(guò)程中不但有所需要的縱向刻蝕，也有不需要的橫向刻蝕，因而精度差，線寬一般在3um以上。RIE-PE刻蝕機(jī)是因大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的需要而開(kāi)發(fā)的精細(xì)加工技術(shù)，它具有各向異性特點(diǎn)，在zui大限度上保證了縱向刻蝕，還可以控制橫向刻蝕。本節(jié)介紹的硅刻蝕機(jī)就是屬于干法ICP刻蝕系統(tǒng)。它被廣泛應(yīng)用在微處理器（CPU）、存儲(chǔ)（DRAM）和各種邏輯電路的制造中。

 

　　在眾多半導(dǎo)體工藝中，刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術(shù)之一?？涛g分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學(xué)腐蝕進(jìn)行，是傳統(tǒng)的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點(diǎn)，即在刻蝕過(guò)程中不但有所需要的縱向刻蝕，也有不需要的橫向刻蝕，因而精度差，線寬一般在3um以上。RIE-PE刻蝕機(jī)是因大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的需要而開(kāi)發(fā)的精細(xì)加工技術(shù)，它具有各向異性特點(diǎn)，在zui大限度上保證了縱向刻蝕，還可以控制橫向刻蝕。本節(jié)介紹的硅刻蝕機(jī)就是屬于干法ICP刻蝕系統(tǒng)。它被廣泛應(yīng)用在微處理器（CPU）、存儲(chǔ)（DRAM）和各種邏輯電路的制造中。

 

　　在眾多半導(dǎo)體工藝中，刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術(shù)之一?？涛g分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學(xué)腐蝕進(jìn)行，是傳統(tǒng)的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點(diǎn)，即在刻蝕過(guò)程中不但有所需要的縱向刻蝕，也有不需要的橫向刻蝕，因而精度差，線寬一般在3um以上。RIE-PE刻蝕機(jī)是因大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的需要而開(kāi)發(fā)的精細(xì)加工技術(shù)，它具有各向異性特點(diǎn)，在zui大限度上保證了縱向刻蝕，還可以控制橫向刻蝕。介紹的RIE-PE刻蝕機(jī)就是屬于干法ICP刻蝕系統(tǒng)。

 

　　RIE-PE刻蝕機(jī)為了適應(yīng)工藝發(fā)展需求，各家設(shè)備廠商都推出了一系列的關(guān)鍵技術(shù)來(lái)滿足工藝需求。主要有以下幾類(lèi)；

 

　　2、等離子體技術(shù)：等離子體密度和能量單獨(dú)控制。

 

　　3、等離子體約束：減少Particle，提高結(jié)果重復(fù)性。

 

　　4、工藝組件：適應(yīng)不同工藝需求，對(duì)應(yīng)不同的工藝組件，比如不同的工藝使用不同。

 

　　5、雙區(qū)進(jìn)氣的目的是通過(guò)調(diào)節(jié)內(nèi)外區(qū)敏感氣體的量提高整個(gè)刻蝕均一性，結(jié)果比較明顯。

 

　　6、反應(yīng)室結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)；由200mm時(shí)的側(cè)抽，改為下抽或者側(cè)下抽。有利于提高氣流均一性。

 

　　5、窄的Gap設(shè)計(jì)可以使得電子穿過(guò)殼層，中和晶圓上多余的離子，有利于提高刻蝕剖面陡直度。